Samsung twierdzi, że wyprodukował kartę pamięci NAND flash w technologii 60 nanometrów. Oznacza to 30 procentowe zmniejszenie się gabarytów kości pamięci, w porównaniu ze stosowaną wcześniej technologią 70 nanometrów. Dzięki temu już w przyszłym roku na rynek mogą trafić karty pamięci o pojemności 16GB. Ponadto inżynierowie Samsunga wspomnieli też o nowych kościach DDR2 wykonanych w technologii 80 nanometrów przy zastosowaniu struktury 3D. Pozwoli to na skonstruowanie już w drugiej połowie przyszłego roku pojedynczych modułów RAM o pojemności 8GB.